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压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)工廠(chǎng)
老(lǎo)化(huà)失效,这(zhè)是(shì)指電(diàn)阻體(tǐ)的(de)低(dī)阻線(xiàn)性(xìng)化(huà)逐步加剧,漏電(diàn)流惡性(xìng)增加且(qiě)集中(zhōng)流入(rù)薄弱(ruò)點(diǎn),薄弱(ruò)點(diǎn)材料融化(huà),形成(chéng)1k?左右(yòu)的(de)短(duǎn)路(lù)孔後(hòu),電(diàn)源繼續推動(dòng)一(yī)个(gè)較大(dà)的(de)電(diàn)流灌入(rù)短(duǎn)路(lù)點(diǎn),形成(chéng)高热(rè)而(ér)起(qǐ)火。这(zhè)種(zhǒng)事(shì)故通(tòng)常可(kě)以通(tòng)过(guò)一(yī)个(gè)與(yǔ)压敏電(diàn)阻串聯的(de)热(rè)熔接點(diǎn)来(lái)避免。热(rè)熔接點(diǎn)應(yìng)與(yǔ)電(diàn)阻體(tǐ)有(yǒu)良好的(de)热(rè)耦合,當沖击電(diàn)流流过(guò)时(shí)不(bù)会斷開(kāi),但當温(wēn)度(dù)超过(guò)電(diàn)阻體(tǐ)上(shàng)限工作(zuò)温(wēn)度(dù)时(shí)即斷開(kāi)。研究结果(guǒ)表(biǎo)明(míng), 若压敏電(diàn)阻存在(zài)着制造缺陷,易發(fà)生(shēng)早(zǎo)期(qī)失效, 強(qiáng)度(dù)不(bù)大(dà)的(de)電(diàn)沖击的(de)多次(cì)作(zuò)用(yòng),也(yě)会加速老(lǎo)化(huà)过(guò)程,使老(lǎo)化(huà)失效提(tí)早(zǎo)出(chū)現(xiàn)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)微觀结構分(fēn)析發(fà)現(xiàn),形成(chéng)的(de)四(sì)个(gè)主要(yào) 成(chéng)分(fēn)是(shì) ZnO、尖晶石(dàn)、焦綠(lǜ)石(dàn)和(hé)一(yī)些富 Bi 相(图(tú) 3)。图(tú) 中(zhōng)也(yě)指明(míng)了(le)組分(fēn)存在(zài)的(de)部(bù)位(wèi),還(huán)存在(zài)一(yī)些用(yòng)現(xiàn)有(yǒu)技術(shù)尚不(bù) 易檢測出(chū)来(lái)的(de)其(qí)它(tā)次(cì)要(yào)相。 ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)典型晶粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)在(zài)15和(hé)20μm 之(zhī)間(jiān), 並(bìng)且(qiě)也(yě)总是(shì)伴有(yǒu)双(shuāng)晶。SiO2的(de)存在(zài)抑制晶粒(lì)生(shēng)长(cháng),而(ér) TiO2 和(hé) BaO 則加速晶粒(lì)长(cháng)大(dà)。尖晶石(dàn)和(hé)焦綠(lǜ)石(dàn)相对(duì)晶粒(lì)长(cháng)大(dà)有(yǒu) 抑制作(zuò)用(yòng)。焦綠(lǜ)石(dàn)相在(zài)低(dī)温(wēn)时(shí)起(qǐ)作(zuò)用(yòng),而(ér)尖晶石(dàn)相在(zài)高温(wēn) 时(shí)有(yǒu)利。當用(yòng)盐(yán)酸(suān)浸蝕晶粒(lì)时(shí),中(zhōng)間(jiān)相呈現(xiàn)出(chū)在(zài)電(diàn)性(xìng)上(shàng)絕 緣的(de)三維网(wǎng)絡。 燒结形成(chéng)的(de) ZnO 晶粒(lì)是(shì) ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)構成(chéng)單純 ZnO 是(shì)具有(yǒu)線(xiàn)性(xìng) I-U 特(tè)性(xìng)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng) n 型半導 體(tǐ)。進(jìn)入(rù) ZnO 中(zhōng)的(de)各(gè)種(zhǒng)添加物(wù)使其(qí)具有(yǒu)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)。这(zhè)些氧 化(huà)物(wù)中(zhōng)主要(yào)是(shì) Bi 2O3。这(zhè)些氧化(huà)物(wù)的(de)引入(rù),在(zài)晶粒(lì)和(hé)晶粒(lì) 邊(biān)界處(chù)形成(chéng)原子缺陷,施主或(huò)類(lèi)施主缺陷支配着耗盡层(céng), 而(ér)受主和(hé)類(lèi)受主缺陷支配着晶粒(lì)邊(biān)界狀态。相關(guān)的(de)缺陷類(lèi) 型是(shì)鋅空(kōng)位(wèi)(V Zn'、V Zn'')、氧空(kōng)位(wèi)(V o 、V o )、填隙鋅

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